简述N型半导体与P型半导体的形成过程并指出多子与少子各是什么?
来源:学生作业帮 编辑:搜搜做题作业网作业帮 分类:物理作业 时间:2024/07/14 21:23:26
简述N型半导体与P型半导体的形成过程并指出多子与少子各是什么?
这是我电路要考的一题,请大家帮帮忙!
谢谢了!
概念是这一条吗? (在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。)
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概念是这一条吗? (在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。)
![简述N型半导体与P型半导体的形成过程并指出多子与少子各是什么?](/uploads/image/z/5851560-48-0.jpg?t=%E7%AE%80%E8%BF%B0N%E5%9E%8B%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E4%B8%8EP%E5%9E%8B%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E7%9A%84%E5%BD%A2%E6%88%90%E8%BF%87%E7%A8%8B%E5%B9%B6%E6%8C%87%E5%87%BA%E5%A4%9A%E5%AD%90%E4%B8%8E%E5%B0%91%E5%AD%90%E5%90%84%E6%98%AF%E4%BB%80%E4%B9%88%3F)
在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体.( 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结,在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体,并形成阻挡层或接触电位差.当P型接正极,N型接负极,N型半导体多余壳粒和PN结上壳粒易往正移动,且阻挡层变薄接触电位差变小,即电阻变小,可形成较大电流;反之当P型接负极,N型接正极,因为P半导体缺壳粒,热运动也难分离出壳粒往正极运动,且阻挡层变厚接触电位差变大,电阻变大,形成较小电流,即具有单向通过电流属性.)
多子与少子是相对概念.
如:在N型半导体中自由电子是多数载流子,简称为“多子”;空穴为小数载流子,称为“少子”.而在P型中则相反.
----考试的话,答概念就可以了,具体的作用过程你就不用记了.
多子与少子是相对概念.
如:在N型半导体中自由电子是多数载流子,简称为“多子”;空穴为小数载流子,称为“少子”.而在P型中则相反.
----考试的话,答概念就可以了,具体的作用过程你就不用记了.