多晶硅片各点间电阻率差异大,这是什么原因呢?
来源:学生作业帮 编辑:搜搜做题作业网作业帮 分类:物理作业 时间:2024/08/05 15:09:00
多晶硅片各点间电阻率差异大,这是什么原因呢?
硅片用MS203测试电阻率接近3.5左右,但是小方锭用RT1000测试电阻率最大值只有2.2左右.
硅片用MS203测试电阻率接近3.5左右,但是小方锭用RT1000测试电阻率最大值只有2.2左右.
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从原理上讲,多晶硅片各点间电阻率有差异是正常的.
既然是多晶硅,说明其中有许多晶粒和晶界.由于晶粒的大小不统一,所以在不同的测量点范围内,包含的晶粒和晶界数量是不同的.又由于晶界的电阻率大于晶粒的电阻率,所以导致了“多晶硅片各点间电阻率差异大”.
既然是多晶硅,说明其中有许多晶粒和晶界.由于晶粒的大小不统一,所以在不同的测量点范围内,包含的晶粒和晶界数量是不同的.又由于晶界的电阻率大于晶粒的电阻率,所以导致了“多晶硅片各点间电阻率差异大”.