饱和区B电流

你知道电感的定义吗?电感为磁导乘以匝数的平方.由铁磁材料的磁化曲线可以知道,随着H值的增大,磁导在减小,此时电感在减小,当H达到最大时,电感就最小.电感是反应磁场对电路影响的一个量.至于电感饱和后电流

不考虑ICBO、ICEO等uA级的电流.IE和IC之间就差值就是IB.因此可以认为相等.不妨碍一般电路设计和应用.基本上也不影响低功耗设计.

三极管电路中,反偏,正偏是指集电结和发射结.三极管电路中,IB、IC和IE,都是、并且永远是从上向下流动,无论处于什么状态.IB：VCC→R1→b→e→地；IC：VCC→R2→c→e→地；IE=IB+

充满后的电流应该是0.146A,到达0.146A请停止充电,以免发生意外.再问：那请问（从理论上说）将一块几乎全部放光的电池充电，如果能充进去，那电流是随着电池中电量的增大而增大呢还是随电量的增大而减

这是由磁路的材料特性决定的,磁路一般都是由铁磁质材料做的,铁磁质的磁化曲线是非线性的,接近饱和点之前,磁感应强度B与磁场强度H几乎是线性的,但是到了饱和点以后,它们之间的关系不再是线性的,磁感应强度稍

选B饱和区的发射结和集电结均取于正向偏置,无电流放大作用.截止区发射结电压小于开启电压且集电结处于反向偏置,无电流放大作用.所以只有工作在放大区时才具有电流放大作用.

二极管的反向电流很小,常常称为截止电流.由于理想二极管的反向电流,例如不存在漏电流的Ge二极管的反向电流,该电流是少子的扩散电流,与反向电压无关,即是所谓“饱和”的（不随电压而改变）,所以又称为反向饱

应该是反向饱和漏电流吧?击穿电流就是反向电压击穿时的电流.发射系数在平面波对平面边界垂直人射的情下,例如在传输线、波导及某些自由波的情形,波抗和特性阻抗的概念才是有用到的再问：帮我解释一下上图的含义再

反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能越好.

电感的电流饱和,是指带有磁芯的电感,当电流增大到一定程度,使磁芯趋向饱和,空芯电感是不存在电流饱的.

二极管的反向饱和电流Is受温度影响,工程上一般用式Is(t)=Is(t0)2^[(t-t0)/10]近似估算,式中t0为参考温度.上式表明温度每升高10℃时,Is(即本征激发的载流子浓度值ni)增大一

1.上偏流电阻减小、下偏流不动,集电极电流上升直到进入饱和；上偏流电阻增大、下偏流不变,集电极电流减少,直到截止；固定上偏流电阻增加下偏流,集电极电流上升,减少下偏流电阻直到0值,集电极电流减少直到0

1.上偏流电阻减小、下偏流不动,集电极电流上升直到进入饱和;上偏流电阻增大、下偏流不变,集电极电流减少,直到截止;固定上偏流电阻增加下偏流,集电极电流上升,减少下偏流电阻直到0值,集电极电流减少直到0

理论上说是B管好,因为它的正反向电阻差别较大.不过判断二极管好坏还要看用途,以及其它指标如恢复时间等等.

阁下算问对人了,因为反向电流是由少数载流子构成的,而“少子”很容易从外界获得能量而活跃起来,使反向电阻剧变,故其反向电流会随温度变化.

二极管的反向电流很小,常常称为截止电流.由于理想二极管的反向电流,例如不存在漏电流的Ge二极管的反向电流,该电流是少子的扩散电流,与反向电压无关,即是所谓“饱和”的（不随电压而改变）,所以又称为反向饱

通常在微安级.1N4007实际测量结果在20～300微安之间.这项指标的名称应该是反向重复电流,试验条件是：二极管施加1000V反向重复峰值电压,测量其峰值电流值.

硅光电池与万用表低电流档相连,用可调光的强光源逐渐调亮度,开始的阶段,光量与电流成正比增加,当光源亮度增加而电流变化不大时就饱和了.我研发的硅光电池检测系统可以快速自动的测试出硅光电池电流与入射光的光

高电位到低电位   就像水向低处流  不会倒流的  顶多会截止了

每种磁芯都有一定的耐直流能力,所谓这种耐直流能力的区别就是指是否达到磁芯饱和;非专业的测试办法,也不用那么复杂的电路;方法:磁芯上绕两组,一组加电流.另一组测电感;如果仅有一组线圈,需要加隔离电容,阻