金刻蚀液-搜答案-搜搜做题作业网

有人想在一块平整的大理石板上,用化学腐蚀的方法刻上"热爱科学",请你提出一种刻蚀的化学原理<用化学方程式,并说明这一方法的操作步骤.

A．只有N元素的化合价发生变化，NF3既是氧化剂又是还原剂，故A错误；B．NF3生成NO，被还原，NF3生成HNO3，被氧化，还原剂与氧化剂的物质的量之比为1：2，故B错误；C．生成0.2molHNO

氧化还原反应中,化合价的升降要保持平衡!如果声称O2就没有降价的元素了!所以生成物必然是N2和H2O.你是做微电子行业的吗?能加个好友吧,我也学的微电子学与固体电子学专业.

A．只有N元素的化合价发生变化，NF3既是氧化剂又是还原剂，故A错误；B．NF3生成NO，被还原，NF3生成HNO3，被氧化，还原剂与氧化剂的物质的量之比为1：2，故B错误；C．生成0.2molHNO

A．盐酸和二氧化硅不反应，不能用于在玻璃上进行刻蚀，故A错误；B．氢氟酸与二氧化硅易反应，生产四氟化硅气体，反应的化学方程式为：4HF+SiO2=SiF4↑+2H2O，能在玻璃上进行刻蚀，故B正确；C

A、二氧化硅与烧碱反应，但反应缓慢，生产的硅酸钠和二氧化硅难以分离，不能用于在玻璃上进行刻蚀，故A错误；B、纯碱与二氧化硅在高温下反应，不能用于在玻璃上进行刻蚀，故B错误；C、氢氟酸与二氧化硅易反应，

一种用倒梯形剖面的光刻胶制作介质边缘缓坡的方法,包括：A．在基片上涂敷介质层；B．在高温下固化；C．旋涂光刻胶；D．光刻、显影,制作倒梯形剖面的光刻胶；E．用含有氧气的等离子体进行干法刻蚀,得到正梯形

4HF+SiO2==F2+Si+2H2O

等离子刻蚀首先是要利用气压为10～1000帕的特定气体（或混合气体）的辉光放电,产生能与薄膜发生离子化学反应的分子或分子基团,生成的反应产物是挥发性的.它在低气压的真空室中被抽走,从而实现刻蚀.通过选

一般化学刻蚀技术在纺织方面主要是指利用其它的先进技术,在纤维表面、或者在纺织品染色、纺织面料的印花方面,起到轻便、效果良好等作用.现在,最常用的表面刻蚀技术是低温等离子体加工技术.这种等离子体刻蚀技术

四氟化碳是无色、无臭、不燃的可压缩性气体,发挥性较高,是最稳定的有机化合物之一,在900℃时,不与铜、镍、钨、钼反应,仅在碳弧温度下缓慢分解,微溶于水,在25℃及0.1Mpa下其溶解度为0.0015％

加还原剂再问：加什么还原剂？大家都知道加还原剂

ASiO2对BHF溶液,错误

首先是要利用气压为10～1000帕的特定气体（或混合气体）的辉光放电,产生能与薄膜发生离子化学反应的分子或分子基团,生成的反应产物是挥发性的.它在低气压的真空室中被抽走,从而实现刻蚀.通过选择和控制放

不只是弱酸,因为电离涉及键的断裂,几乎所有的物质电离都是放热.然而电离过程除了原来的键的断裂还有生成的离子与水的作用,这个作用是放热的.HF特殊,是因为F-与水之间的作用很强,这样放出的热量就多.至于

SiO2+4HF=SiF4+2H2O

单质氟对人体肯定是有害的,就如冰箱使用不含氟利昂的,至于你的工作环境,保持空气流通会好点,别一直呆在哪里,有空出去呼吸新鲜空气对身体有好处!

20mL0.1mol•L-1氢氟酸中加入20mL0.1mol•L-1NaOH溶液．由于刚好中和,此时溶液的成份是NaFF-+H2OHF+OH-因此：电荷守恒:c(Na+)+c(

你这里的刻蚀率应该是,硅氮化物的可是速率与掩膜的比值.

你没观察化学实验室的NaOH溶液都是用玻璃瓶加橡胶塞的吗?如果用玻璃塞,你过一段时间去拔塞子,你会发现很难拔,甚至拔不开.