N沟道MOS管的栅极和源极间电压大于规定电压最大值管子会坏吗

N--D之间电压应符合耐压极限参数,超出太多当然容易击穿损坏的.具体可查你选用元件手册.

可变电阻,你就把它当一个电阻好了,只是这个电阻的阻值会变化而已.且DS和G之间是隔离的,没有连接.它跟R1是最简单的串联分压.关键的问题是,猜猜放大电路的类型.我感觉这个放大是一个反相放大,理由是,N

GT2301VDS-20VVGS±12V启动低压0.4-0.9V满足你的要求绰绰有余Q：1291426253台产原厂销售

MOS管的栅极（gate）存在一个平板寄生电容,有兴趣可以看看半导体器件方面的资料如果仅仅是断电的话由于栅极电容无法放电,所以栅极的电压其实还是基本维持在5V,越大的MOS管电容也就越大,这个现象也就

由于栅极绝缘程度极高,栅极又有电容特性.因此极容量积累电荷,并存储电荷,形成电压.在你测量的过程中,如果栅极悬空被空间电荷或者感应电荷存储了,也或者在用万用表对栅极电容进行了充电操作,都会让MOS管的

你要多小才算很小?5mR以内?20mR以内?再问：10M以内，你知道哪些？再答：只要型号名称里面带7580的，就肯定是10mR以内的，另外8580也是，这些比较容易买。

增强型比较清楚：1、P沟道增强型：当UgsUgs(th)时,开启.这个Ugs(th)是一个正数值,最常见的是在2V4V之间.耗尽型的管子比较少见.1、P沟道耗尽型：当UgsUgs(off)时导通,这个

mos管的栅极电压很高,单片机的输出无法使它导通,应加高电压用一个三极管与它复合后使用,但这么做也太麻烦太不值了,还不如直接只用一个三极管来做控制开关了?3w的led灯电流在600-700mA,电流较

测量短路本来就不应该通电或者在线测量,表会响只能说明有电流流过万用表,不能说明是管子短路造成的.

不好意思,这个不是我的专业,不过我想你只要在网上随便搜索一下,就可以找到很多

栅极控制源极和漏极间的电流,MOS导通后源和漏之间形成沟道,电流可以在沟道中流动,n管是漏流向源,p管相反.而MOS栅极一端是多晶硅,绝缘的,没电流,只是控制沟道电流的大小,就像水龙头一样.

NMOS增强型,ugs(th)一般是正数,最常见的是在2-4V之间,正常导通时的UGS一定大于Ugs(th),因此也一定是一个正数.耗尽型的不称为ugs(th),而是ugs(off),也就是夹断电压,

IRF3205,PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=8.0mohm,Id=110A⑤)

这个东西在国内教科书里没有,必须找国外教科书才行.我印象中,20世纪50年代,美国的AT&T公司在研究FET特性时,利用过一个水闸模拟JFET控制机理的研究,这时把控制水闸（其实就是个水龙头）的开关认

因为MOS管栅极与漏极和源极之间的绝缘电阻很高,绝缘层很薄,栅极很容易积累电荷把绝缘层击穿而损坏MOS管,在使用过程中如果有较高电压加到栅极也要击穿绝缘层而损坏MOS管,所以要在MOS管栅极并联稳压管

因为场效晶体管的输入电阻rGS是很高的,比RG1或RG2都高得多,三者并联后可将rGS略去.显然,由于RG1和RG2的接入使放大电路的输入电阻降低了.因此,通常在分压点和栅极之间接入一个阻值较高的电阻

MOS管饱和区电流公式是Ids=0.5*u*Cox*W/L*(Vgs-Vth)^2,算的时候注意单位统一,需要指出的是,你那单位面积的电容算错了,单位面积电容公式是Cox=ε(Sio2)/tox,其中

这个东西,单凭几句话说不清楚的.我还是建议你多看几本书,不要局限于手头一本教科书,最好看看国外的模电教材（现在有很多翻译本）,多看几本,就看这块.可能会有一种说法能适合你.要理解好FET,基础还是前面

 45P40,VDS=-40V,ID=-50ARDS(ON)<13mΩ@VGS=-10V,TO-252 28P55,VDS=-55V,ID=-30ARDS(ON)<40

有可能直流电机调速如充电手电钻,有损坏的电路板图片可能更清楚.再问：如果是调速，那mos管为什么是一个单独驱动，另外两个单独驱动呢？电路板是用强酸腐蚀环氧树脂腐蚀出来的，已经完全损坏，而且电路板做工不