晶体管的=100,Ube=-0.7v

静态工作点等于33μA（基极静态电流）；交流电压增益Au等于-3；输入电阻Ri等于60kΩ；输出电阻Ro等于3kΩ；Ui等于9.677mV（有效值）,Uo等于29mV（有效值）.因为你没有确定交流信号

计算条件不足.故假设U1=U2=0V,则ICQ=((UEE+VBE)/RE)/2(取决对值),UCEQ=UBE+UCC-ICQ*RC.ICQ=((-15+0.7)/10)/2=0.715mAUCEQ=

ube电压就是一个pn结,硅管的一般是0.6-0.8v,0.7是估算值,pn结不是有一个温度系数α=△Uz/△T,稳定电压小于4v,管子具有负温度系数（属于齐纳击穿）,温度升高压降下降再问：书上怎么说

（1）当VBB＝0时,T截止,uO＝12V.\x0d（2）当VBB＝1V时,因为60bBEQBBBQ==RUVIμAV9mA3CCQCCOBQCQ====RIVuIIβ所以T处于放大状态.\x0d第一

管子接到电路中并不是一定是工作于放大状态下的,由各极的电位可以很方便的判断管子处于何种工作状态,管子工作于何种工作状态决定了UCE、UBE的大小.所以,一般测出各级电位先判断管子工作在何状态下的.

A)为饱和状态B）截止状态C）放大状态再问：(a)和(c)怎么计算的啊再答：A)β=501K电阻折算为50K则Ib=(12-0.7)/(10+50)=0.1883mAIc=Ib*50=9.4mA2K电

经计算,该电路在u1=-2.58V时处于临界饱和状态,现U1=-5V＜-2.58V,所以处于饱和状态,于是：U.=-0.1V(即饱和压降).稳压管的作用是限制U.≮-5V,现U.=-O.1V＞-0.5

1、静态工作点：VB＝Ube＝0.7V,Ib＝(Vcc－Ube)/Rb＝(12－0.7)/450＝0.025mA,Ic＝阝Ib＝100x0.025＝2.5mA,Uce＝Vcc－RcIc＝12－3x2.

a、480KIb=Ic/βIb=(Vcc-Vbe)/Rb≈Vcc/R

12-3=9V9V/(5+3)=1.125mAUB=0.7+3*1.125=4.075V

Ib=4.3/5ok=0.086maIC=0.086*50=4.3ma2.5*4.3=10.75管子深度饱和

ib=（2-0.7）/50=0.026mAic=0.026*100=2.6U0=15-5*2.6ics=（15-0.3）/5=2.942.94/100=0.0294=（2-0.7）/Rb求出Rb再问：

只要发射结正常导通,对于硅管Ube都是0.7.这只是理想的状态.反正接近就对了!

管子接到电路中并不是一定是工作于放大状态下的,由各极的电位可以很方便的判断管子处于何种工作状态,管子工作于何种工作状态决定了UCE、UBE的大小.所以,一般测出各级电位先判断管子工作在何状态下的.

先求Ib：Vbb=1.5V,Ube=0.7V,则URb=Vbb-Ube=0.8VIb=URb/Rb=0.8/5=0.16mA所以Ic=βIb=8mA,所以Uce=Vcc-URc=12-8V=4VUo=

射极电流IE=(1+β)IB,那么10*IB+Ube+1*IE=12V,写成IB的式子,分母部分就是10+(1+β)*1.再问：为么模拟电子技术这本书上没有这个公式呢，还有a图是共射电路吗，不太看懂啊

LZ基极电位这样算是不对的,应该这样算：假定基极电位为Vb,基极电流为Ib,则发射极电流为Ie=（1+50）Ib=51Ib,Ure=51Ib*Re,则Vb=0.7+Ure=0.7+51Ib.流过RB2

理论不知怎么算,实际使用中最少是0.3V.

β↑,反向电流↑,ube↓.

电子电路一般都是估算,计算精度要求不高.第3问题,就是三个电阻并联,Rb1、Rb2被认为太大,不用参与计算,忽略了所以ri=rbe