当PN结外加正向电压时,扩散电流等于漂移电流,耗尽层变窄吗?

pn结在未加电压前,就有扩散运动,且扩散运动在pn结两边形成内电场,该内电场抑制扩散运动,从而达到扩散平衡.此时,你加入正向电压（而不是电流）,达到一定的数值将抑制内电场,内电场重新变化,电荷带变小,

浓度差导致扩散运动,电场导致的是漂移运动.正向偏置时在外场的作用下漂移加强扩散减弱,使得中间的耗尽区宽度减小.你也可以认为是外场抵消了内场再问：那正向偏置时的电流到底是因为扩散运动产生的还是因为漂移运

当二极管加正向电压时,只要所加电压大于PN结导通电压,二极管就导通；当二极管加反向电压时,如果所加电压小于PN结的击穿电压,二极管就截止,当所加

这个问题不用深究,我干了这么多年电子都没用到,你就记住电流只能从P流向N就可以了,别的没有用处.这是模电里面最多余的介绍.

p区PN结外加正向电压的接法是P区接电源的正极,N区接电源的负极.这时外加电压形成电场的方向与自建场的方向相反,从而使阻挡层变窄,扩散作用大于漂移作用,多数载流子向对方区域扩散形成正向电流,方向是从P

电子和电流方向相反,过程可以这样描述：电子先进入n区,汇合n区自带的电子,在与内电场方向相反的外电场的作用下,打破扩散运动和内电场所构成的原有的动态平衡,一起做扩散运动,穿过pn节这个空乏区,扩散进p

平衡状态下的PN结中扩散电流与漂移电流相等,加正向偏压后,正向电压落在空间电荷区并与空间电荷区自建电场的电压方向相反,等于削弱了自建电场,空间电荷区势垒降低,扩散电流超过了漂移电流,使PN结导通.随着

电子导电的N型与空穴导电的P型半导体结合面,叫做PN结,由于N型半导体是电子导电,而电源的电子是从负极向正极流动,所以正极接P,负极接N,PN结导通,电流会形成回路,称结外加正向电压.可以用形象记忆法

当外加反向电压时,呈现的电阻（反向电阻）很大,通过的电流很小（通常可以忽略不计）

光电效应跟加正向电压有必然联系吗?加正向电压会在PN结内部产生电场,扩散运动被加强从而使PN结内部的漂移运动小于扩散运动,使电子从N区移动到P区,光电效应是由于n区杂志吸收了光子,从而电离出更多的电子

因为PN结的内电场是靠近P区积累负电荷,靠近N区积累正电荷.当加正向电压时,即P区加正,N区加负,在电场力的作用下,有利于P区的多子——空穴,向N区方向移动,使P区的负电荷层靠近P区的部分重新获得空穴

那是,当正向电压大于二极管的导通电压时,二极管就变成导体了.

PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层将变窄

将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时,P型半导

加正向电压是导通状态,加反向电压是阻断状态.

+P-N-----------＞EP的多子是空穴带+电荷N的多子是电子带负电荷所谓PN结即P型半导体和N型半导体结合处由于各自多子扩散到对方被复合后产生的一个很薄的空间电荷区,也叫耗尽层,即PN结．所

PN结并未变薄,但空间电荷区变窄.正向电压产生的电场削弱PN结空间电荷区电场,导致空间电荷区变窄.

是由于电子和空穴的扩散作用,P区的空穴和N区的电子相互扩散.因为失去正电荷空穴,P区为负,因为失去负电荷电子,N区为正.所以在PN结处的内电场是由正指向负,也就是由N指向P；如果在PN结外加正电压,外

施加稳定的外加电压,pn结的状态也是稳定的,耗尽区宽度稳定在一个值,不会出现内部的空穴,电子随时间一直不断减少的情况,这是因为,pn结所连接的外部电路（电源）会源源不断补充载流子,这最终达到的是一个动

当二极管加正向电压时,只要所加电压大于PN结导通电压,二极管就导通；当二极管加反向电压时,如果所加电压小于PN结的击穿电压,二极管就截止,当所加电压达到PN结的击穿电压或略大一些,二极管发生雪崩式反向