在multisim中VCC,VDD,VEE,VSS的区别-搜答案-搜搜做题作业网

问题出在整流桥上,测试发现,不管灯的电阻多大,输出的电压都是接近100V.换成四个二极管整流就可以了.观察参数发现这种整流桥的反向击穿电压是100V.所以是你用的器件不合适了,击穿电压100V,你加了

1、没有图2、若是共射放大器或共基极放大器,（这两种放大器都有集电极负载电阻Rc）,输出电阻都等于Rc.

有型号的实际三极管和虚拟三极管的β值都能更改.虚拟三极管(VirtualTransistor)β值更改步骤如下：1、双击BJT图标；2、点击Editmodel,出现含有β参数(显示BF)的对话框；3、

（1）电路静态时T1和T2管的集电极电位,由于电路对称且有恒流源的作用,则T1和T2的集电极电位为10-0.5*10=5V.（2）电路的差模放大倍数Ad=β*RC/(RB+rbe)=500/3=166

在Sources菜单下找,将120V修改为220V、60Hz修改为50Hz即可.再问：��ô��أ��ܽ��再答：˫��120Vrms��60Hz��ֶԻ��޸��Ϻ��

点左边工具栏terminals mode图标,里面有个power,点击,在你需要的位置单击左键,我给你个图吧,然后点击右键选择edit propertis写上vcc

选ZENER_VIRTUAL,然后可以双击,修改VALUE即可.

在电源符号菜单下找三端稳压器Voltage-Regulator,在下拉,就能找到7809

1,直流电路如图2,先求B点电压,VB=Rb1*Vcc/(Rb2+Rb1)VB=UBEQ+(1+β)IBQ*Re,1+β约为βIBQ就求出来了,然后ICQ=β*IBQ,求得ICQUCEQ=Vcc-IC

电路仿真时可以不接.实际电路中接个电位器调背光就行,没电位器的话也可以接个4.7K电阻（只是参考值,我这个1602就是接的4.7K的,也有几个接的是1K的）.data不能接到VCC上,楼上电路因为接的

一般三极管的型号（现实元件）确定以后,放大倍数和节电阻就确定了.只有选择虚拟三极管才需要修改参数（也可以用默认）,节电阻可以不考虑（只有国内的教材才考虑,一般选rbb=300.传统的等效电路法).修改

没有220V的灯泡,还有模型的参数也不能改

最大功率为T1或T2饱和时的功率,Pom=（Vcc-Uces）*（Vcc-Uces）/Rl效率为：Vces*I/Vcc*I*100%=Vces/Vcc*100%晶体管的最大功耗PTmax=Uces*I

我是你们电路实验老师刘中元,请自行查找书上有稳压管引脚图,自己拼接,不要不动脑子地一味问人……

因为被测电阻的电阻是不会改变的滑动变阻器的电压随着电阻增大而增大,那么电流则减小,而被测电阻的电压减小了,电流也就高了.这是我的理解.

双击三极管,弹出对话框,在“值”一栏中点击“编辑模型”,能看到参数,Bf表示正向放大倍数

因为你是OTL功放,中点电压为电源电压的一半,理论上只要40V就可以了,比如TIP35/TIP36.

RST是复位引脚,当此脚上的高电平>2个机器周期,单片机复位.接VCC的电容为复位电容,一般取值为22uF.（这个取值与晶振有关,目的是保证电容充电时高电平时间>>2个机器周期）接地的电阻为下拉电阻,

用鼠标双击相应的管脚,会出现一个属性对话框,你就可以修改管脚的名称等加注释的话,执行place---->Annotation（注释的意思）,当光标变成“十”字后,按键,调出说明文字属性对话框,会出现一

VCCVDD是正电源,VEEVSS是负电源.因为N型双极晶体管C接正,所以叫Vcc,N型MOS晶体管D接正,所以叫Vdd同理有Vee,Vss