二极管正向导通时,硅管和锗管的正向工作电压各为多少,反向时呢-搜答案-搜搜做题作业网

二极管正向压降相关：1、二极管材质/工艺：硅管压降>锗管压降.而同等材质,工艺不同,压降也不同.2、二极管的工作电流：同一个二极管,当前电流越大,压降越大.压降虽然有不同,但是范围在(零点几~1点几)

1.串联可以得到4+0.7V,12+0.7V,4+12V.2,并联,可以得到0.7V,4V.图就不用画了,二极管就正负极,颠倒个就明白了.

正向导通压降是在管子正向导通的时候,二极管两端的电压,也就是它引起的压降；死区电压是它的门坎电压,也就是说,在这个电压以下时,即使是正向的,它也不导通.

先假设二极管反向截止,则：Va=10*2000/(2000+500)=8V,Va-0.7V=7.3V＞6V,二极管会导通,则：A点电位被二极管钳位在6.7V.Va=6.7V.再问：下电阻应该是（10-

二极管导通后,电流增加,压降会略有增加,但是增加得很少,所以一般就将导通电压视为二极管的阈值电压或者二极管的压降了.万能表的测试电流很小（约1mA）,测量出来的导通电压略偏低,使用时可以适当调整以下.

电源电压为5V时：(5-0.7)/R1=0.7/R2+0.002电源电压为10V时：(10-0.7)/R1=0.7/R2+0.01/0.7解这两个方程得：R1=407R2=81.7

我感觉二极管正向导通压降是在二级管导通时的电压降,而二极管正向阀值电压是要使二极管正向导通的最小电压.

硅二极管阳极和阴极之间电压在大于0.7伏时候正向导通

700欧姆是静态电阻,动态电阻算法如下：r=vT/ID,ID为静态电流,VT=kT/q称为温度的电压当量,k为玻耳兹曼常数,q为电子电荷量,T为热力学温度.对于室温（相当T=300K）,则有VT=26

死区电压：简单的说就是低于这个电压管子就不能导通的电压,典型值硅管为：0.75V典型值锗管为：0.35V

同向串联时,稳压值是两者之和.同向并联时,稳压值取小的那一个二极管的稳压值.

锗管漏电流大,反应速度快一些

B截止.因为硅二极管的初始正向导通电压是0.6V左右.

普通整流及开关二极管的正向压降视型号不能同为0.4V左右,肖特基二极管的正向压降更低；发光二极管正向压降最低为1.6V左右,较高的2至3V.

锗管的压降是0.2V~0.3V,在大电流下至少是0.3V.但是由于除了压降以外的其他指标都逊于硅管,锗管现在很少见了,几乎可以算是被淘汰了.建议你用肖特基二极管,这种二极管额定电流下的正向导通压降低于

我所知道的是硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V,锗管正向管压降为0.3V,反向饱和电流一般在10e-14A～10e-10A.发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同.主要有三种颜色,具体压降参

如果你在二极管二端加上10V的电压,那么此时经过电源内阻限流后,电流超过了此二极管所能承受的最大电流,二极管就补烧毁了!不超过二极管的允许最大电流,那么肯定是电源有内阻承担了另外过多的电压.此时二极管

截止硅管的死区电压0.5V锗管的死区电压0.2V导通硅管的正向压降为0.7V锗管的正向压降0.3V

D1、D2组成与门电路,只要一个输入为低电平,它们的公共端就是低电平.稳压管组成双向钳位电路.当它们公共端为低电平时,输出由2K与500欧电阻构成的分压确定：500欧电阻上的压降【15-（-15）】*

看：二极管一般都在负极端标有黑色标记.测：用指针万用表正反两次测两端阻值,其中阻值较小的一次黑色表笔所接为正极.